Nand-Flash的設計

     系統(tǒng)中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U。該器件存儲容量為16M×8位，還有512KX 8位的空閑存儲區(qū)。該器件采用TSSOP48封裝，工作電壓為2.7～3.6V。8位I/O端口采用地址、數(shù)據(jù)和命令復用的方法，這樣既可減少引腳數(shù)，又可使接口電路簡捷。

由于ARM系統(tǒng)沒有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信號，需要利用ARM的通用GPIO口。具體的連接電路如圖7-3所示。

?命令鎖存使能(CLE)，使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器。當變?yōu)楦唠娖綍r，在WE上升沿命令通過I/O口鎖存到命令寄存器。

?地址鎖存使能(ALE)，控制地址輸入到片內(nèi)的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被鎖存的。

?片選使能(CE)，用于器件的選擇控制。在讀操作、CE變?yōu)楦唠娖綍r，器件返回到  備用狀態(tài)；當器件在寫操作或擦除操作過程中保持忙狀態(tài)時，CE的變高將被忽略，不會返回到備用狀態(tài)。

?寫使能(WE)，用于控制把命令、地址和數(shù)據(jù)在它的上升沿寫入到I/O端口；而在  讀操作時必須保持高電平。

?讀使能(RE)，控制把數(shù)據(jù)放到I/O總線上，在它的下降沿tREA時間后數(shù)據(jù)有效；使內(nèi)部的列地址自動加1。

?I/O端口，用于命令、地址和數(shù)據(jù)的輸入及讀操作時的數(shù)據(jù)輸出。當芯片未選中時，                I/O口為高阻態(tài)。
?工寫保護(WP)，禁止寫操作和擦除操作。當它有效時，內(nèi)部的高壓生成器將會復位。

?準備/忙(R/B)，反映當前器件的狀態(tài)。低電平時，表示寫操作或擦除操作以及隨機讀正進行中；當它變?yōu)楦唠娖綍r，表示這些操作已經(jīng)完成。它采用了開漏輸出結(jié)構(gòu)，在芯片未選中時不會保持高阻態(tài)。

3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳線選擇

由于ARM提供了Nand-Flash Boot-loader技術和可選擇的多種啟動方式，硬件設計中設計了Nor-Flash和Nand-Flash，通過跳線選擇啟動方式，